核源防偽技術
核源防偽產品是根據用戶要求的圖案通過先輻照后成像，在薄膜上形成圓柱狀微米級微孔，微孔密度每平方釐米40-300萬個，微孔在平面上按統計規律分布，微孔斜度30-50度，孔道具有良好的透氣、透水性能。通過特殊工藝將薄膜與基材復合，再經過印刷而製成客戶要求的防偽標識。
核源防偽技術特點
生產的獨佔性
核源膜的生產必須使用原子核反應堆等國家專控大型核設施，國內只有極少數幾個在國家控制下的核研究單位擁有這樣的設備，是任何個人和團體不可能擁有的。目前國內唯有清華大學核能技術設計研究院的核反應堆具有生產核源膜的能力。高度壟斷決定一般企業不可生產性。 核源防偽標識的生產，還需要核物理、化學、電子、機械、光學等多學科的共同參與才能完成。
防偽圖案的不可仿造性
核源防偽標識圖案是由每平方釐米几十萬到几百萬個微米級微孔組成，具有“微觀設密宏觀顯示”的特點，使不可見的几百萬個像素集合“放大”成為可見的宏觀圖案。微孔密度、微孔斜度、孔徑及分布規律，形成了嚴格的密碼信號，是仿造者根本無法逾越的障礙。核源防偽標識其特有的微孔分布規律，圓柱形微孔孔道具有的散射角，及其分布規律，使得防偽標識在顯微鏡下可以清楚地識別出是否為核反應堆加工，實現了專家識別和大眾識別相結合的防偽目的。
核源防偽產品安全評價報告
清華大學核能技術設計研究院生產的核源防偽膜經各級權威部門測試，符合國家“GB4792-84”放射衛生防護標準，放射水平為本底膜水平。可以作為食品、藥品等各類產品的包裝。
VCC -核源多重防偽技術
VCC 防偽技術是採用分子級高分子納米材料研發的一種新型防偽技術，它以特定結構復合而成的5-10 微米厚微膜，對水分子具有特殊的光學作用。將VCC 膜復合在核源防偽標識圖案下面，當用水塗抹核源防偽標識圖案時，水分子會自動從核源微孔遷入VCC 膜，使VCC 核源防偽標識圖案變色，且色調可以通過分子設計加以調整，當水分乾燥后，顏色退去，為可逆變化。它是採用高科技多重防偽復合技術加工而成，VCC 在核源防偽技術之後形成第二道防線，兩者結合具有無法仿製性。VCC 這一世界獨一無二技術使核源防偽標識圖案鑑別時具有觀賞性，藝朮性和非常方便的大眾識別性。
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